申请/专利权人：青岛科技大学

申请日：2022-04-08

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN114744484B

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183;H01S5/30;H01S5/323

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2022.07.29#实质审查的生效;2022.07.12#公开

摘要：本申请公开了一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构，包括多层type‑Ⅱ隧道结、垫料层、活性区域和干涉反射器；垫料层围绕多层type‑Ⅱ隧道结，活性区域位于垫料层内部；活性区域用于响应于从多层type‑Ⅱ隧道结注入的电荷而产生激射波长的光的有效带隙，产生短波长的光；干涉反射器包括第一干涉反射器和第二干涉反射器，第一干涉反射器和第二干涉反射器分别位于垫料层的顶部和底部。本申请增大了隧道结的隧穿几率，提高了器件整体的输出功率和温度性能提高以及增加器件稳定性与实用性，适用于GaAs基大功率激光器。

主权项：1.一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构，其特征在于，包括多层type-II隧道结、垫料层、活性区域和干涉反射器；所述垫料层围绕所述多层type-II隧道结，所述活性区域位于所述垫料层内部；所述活性区域为载流子注入复合区，所述活性区域用于响应于从所述多层type-II隧道结注入的电荷而产生激射波长的光的有效带隙，产生短波长的光；所述干涉反射器用于提供光反馈，所述干涉反射器包括第一干涉反射器和第二干涉反射器，所述第一干涉反射器和所述第二干涉反射器分别位于所述垫料层的顶部和底部；所述多层type-II隧道结中共有N个上下连接的type-II隧道结；所述多层type-II隧道结的底层为n型缓冲层，顶层为碳掺杂p型缓冲层；每一个所述type-II隧道结均包括自上而下顺序连接的P型GaAs接触层、P型AlGaAs-AlAs-AlGaAs约束层、P型GaAsSb层、隧道结TJstructure层、第一N型GaAs层、N型AlGaAs-AlAs-AlGaAs约束层、第二N型GaAs层和N型GaAs接触层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青岛科技大学 一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构

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