申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2022-07-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795429A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：["20210813 US 63/232,783"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：提供了用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的系统、设备和方法。示例方法可以包括确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，所述示例方法可以包括修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经1修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，所述示例方法可以包括基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

主权项：1.一种系统，包括：均匀性校正系统，所述均匀性校正系统包括：多个指状物组件，其中所述多个指状物组件限定所述均匀性校正系统的最大曝光场，并且其中所述多个指状物组件的子集限定用于晶片曝光操作的曝光场；和控制器，所述控制器被配置成：确定所述曝光场是否小于所述最大曝光场；响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据；以及基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定在所述多个指状物组件的所述子集中的指状物组件的最优位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASML荷兰有限公司 提高照射器透射率的光刻方法

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