申请/专利权人:先导薄膜材料(广东)有限公司
申请日:2023-12-15
公开(公告)日:2024-03-29
公开(公告)号:CN117776711A
主分类号:C04B35/457
分类号:C04B35/457;C23C14/35;C23C14/08;C04B35/622
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开
摘要:本发明属于半导体技术领域,公开了一种氧化锡铌靶材的制备方法,以氧化锡、氧化铌为原料制备氧化锡铌靶材;所述氧化铌为Nb2O5以及Nb2O4、Nb2O3中的至少一种。该方法采用了多种价态的氧化铌为原料,使最终产品中绝大部分为五价氧化铌以及少量的三价和四价氧化铌,可以提高产品的导电率。同时,本发明还提供了该氧化锡铌靶材。
主权项:1.一种氧化锡铌靶材的制备方法,其特征在于,以氧化锡、氧化铌为原料制备氧化锡铌靶材;所述氧化铌为Nb2O5以及Nb2O4、Nb2O3中的至少一种。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种氧化锡铌靶材及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。