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【发明公布】一种氧化锡铌靶材及其制备方法_先导薄膜材料(广东)有限公司_202311730744.4 

申请/专利权人:先导薄膜材料(广东)有限公司

申请日:2023-12-15

公开(公告)日:2024-03-29

公开(公告)号:CN117776711A

主分类号:C04B35/457

分类号:C04B35/457;C23C14/35;C23C14/08;C04B35/622

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要:本发明属于半导体技术领域,公开了一种氧化锡铌靶材的制备方法,以氧化锡、氧化铌为原料制备氧化锡铌靶材;所述氧化铌为Nb2O5以及Nb2O4、Nb2O3中的至少一种。该方法采用了多种价态的氧化铌为原料,使最终产品中绝大部分为五价氧化铌以及少量的三价和四价氧化铌,可以提高产品的导电率。同时,本发明还提供了该氧化锡铌靶材。

主权项:1.一种氧化锡铌靶材的制备方法,其特征在于,以氧化锡、氧化铌为原料制备氧化锡铌靶材;所述氧化铌为Nb2O5以及Nb2O4、Nb2O3中的至少一种。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种氧化锡铌靶材及其制备方法

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