申请/专利权人：国网河南省电力公司电力科学研究院;北京科技大学;国网河南省电力公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117794257A

主分类号：H10K10/43

分类号：H10K10/43;H10K85/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种基于二维器件组成的超薄短通道隧穿晶闸管结构，属于金属‑半导体技术领域。包括：衬底层结构、半导体模块、绝缘介质层模块、电极模块以及顶层结构；半导体模块位于衬底层结构的上方，且中间有间隙；绝缘介质层模块位于半导体结构的上方的一端；电极模块位于半导体结构的的上方的另一端，且不与绝缘介质层模块连接；顶层结构位于绝缘介质层模块上方；半导体模块采用二维半导体材料；绝缘介质层模块采用电介质材料；电极模块采用二维半金属电极材料和传统金属电极材料；二维半金属电极材料面内原子通过共价键结合，层间采用范德华堆叠。本发明中有助于基于二维半导体的晶闸管结构设计和优化，扩展新型半导体材料应用。

主权项：1.一种基于二维器件组成的超薄短通道隧穿晶闸管结构，其特征在于，包括：衬底层结构、半导体模块、绝缘介质层模块、电极模块以及顶层结构；所述半导体模块位于所述衬底层结构的上方，且中间有间隙；所述绝缘介质层模块位于所述半导体结构的上方的一端；所述电极模块位于所述半导体结构的的上方的另一端，且不与所述绝缘介质层模块连接；所述顶层结构位于所述绝缘介质层模块上方；所述半导体模块采用二维半导体材料；所述绝缘介质层模块采用电介质材料；所述电极模块采用二维半金属电极材料和传统金属电极材料；所述二维半金属电极材料面内原子通过共价键结合，层间采用范德华堆叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国网河南省电力公司电力科学研究院;北京科技大学;国网河南省电力公司 一种基于二维器件组成的超薄短通道隧穿晶闸管结构

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