申请/专利权人：广州润芯信息技术有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117791529A

主分类号：H02H9/02

分类号：H02H9/02;H01L27/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种ESD防护方法及系统，当检测到被保护模块发生负压放电时，控制第一放电电流从被保护模块的栅极端口输出，经过二级防护模块回流至被保护模块的NMOS源极；所述二级防护模块放电阻抗低于被保护模块的NMOS栅极和PMOS栅极阻抗；当检测到被保护模块发生正压放电时，控制从被保护模块PMOS源极输出的第二放电电流在二级防护模块与被保护模块NMOS源极输出的第三放电电流合流，形成第四放电电流，并回流至被保护模块的栅极；所述二级防护模块放电阻抗低于被保护模块的NMOS栅极和PMOS栅极阻抗。本发明可以达到快速泄放电，以达到保护被保护模块的作用。

主权项：1.一种ESD防护方法，其特征在于，适用于ESD防护电路，所述ESD防护电路包括被保护模块和二级防护模块依次连接，其中，所述一种ESD防护方法包括以下步骤：当检测到被保护模块发生负压放电时，控制第一放电电流从被保护模块的栅极端口输出，经过二级防护模块回流至被保护模块的NMOS源极；其中，所述二级防护模块放电阻抗低于被保护模块的NMOS栅极和PMOS栅极阻抗；当检测到被保护模块发生正压放电时，控制从被保护模块PMOS源极输出的第二放电电流在二级防护模块与被保护模块NMOS源极输出的第三放电电流合流，形成第四放电电流，并回流至被保护模块的栅极；其中，所述二级防护模块放电阻抗低于被保护模块的NMOS栅极和PMOS栅极阻抗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州润芯信息技术有限公司 一种ESD防护方法及系统

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