申请/专利权人：诺威有限公司

申请日：2022-06-03

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795285A

主分类号：G01B11/06

分类号：G01B11/06;G01R31/26

优先权：["20220128 IB PCT/IB2022/050774","20210603 US 63/202,279"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：一种用于半导体装置计量的方法。该方法可以包括：创建由半导体装置的三维3D图案化结构反射的光的波长域测量数据的时域表示；选择时域表示的一个或多个相关峰值以及时域表示的至少一个不相关部分。一个或多个相关峰值发生在一个或多个相关时间段期间；并且是与对应的相关参考峰值相关联的，该对应的相关参考峰值与不同版本的参考3D图案化结构相关联。

主权项：1.一种用于半导体装置计量的方法，所述方法包括：创建由半导体装置的三维3D图案化结构反射的光的波长域测量数据的时域表示；选择所述时域表示的一个或多个相关峰值以及所述时域表示的至少一个不相关部分；其中，所述一个或多个相关峰值发生在一个或多个相关时间段期间；其中，所述一个或多个相关峰值与对应的相关参考峰值相关联，所述对应的相关参考峰值与不同版本的参考3D图案化结构相关联；其中，所述不同版本的参考3D图案化结构之间的相似性超过所述不同版本的参考3D图案化结构之间的差异；其中，与所述一个或多个相关峰值中的同一相关峰值对应的至少两个相关参考峰值彼此不同；以及基于所述一个或多个相关峰值以及所述对应的相关参考峰值来确定所述3D图案化结构的至少一个参数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 诺威有限公司 半导体装置的时域光学计量和检查

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