申请/专利权人：北京镓和半导体有限公司;广州海创产业技术研究院

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790615A

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/18;H01L31/032

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明属于半导体光子器件领域，具体涉及一种异质结深紫外自供电探测器阵列，所述探测器阵列由以设定阵列结构的Ga2O3‑Co3O4异质结单元构成；每个所述异质结单元包括：第一金属电极、Co3O4薄膜、第二金属电极和Ga2O3薄膜；所述第一金属电极与所述Co3O4薄膜形成欧姆接触；所述第二金属电极与所述Ga2O3薄膜形成欧姆接触。本发明所述探测器阵列表现出良好的均一性，并且每个异质结探测器单元均具有优异的响应度和探测率以及超快的响应速度。此外，该异质结探测器阵列可以在自供电的模式下实现深紫外成像，且成像效果良好。

主权项：1.一种异质结深紫外自供电探测器阵列，其特征在于，所述探测器阵列由以设定阵列结构的Ga2O3-Co3O4异质结单元构成；每个所述异质结单元包括：第一金属电极、Co3O4薄膜、第二金属电极和Ga2O3薄膜；所述第一金属电极与所述Co3O4薄膜形成欧姆接触；所述第二金属电极与所述Ga2O3薄膜形成欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京镓和半导体有限公司;广州海创产业技术研究院 一种异质结深紫外自供电探测器阵列及其制备方法

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