申请/专利权人：穆智(上海)新能源科技有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117776730A

主分类号：C04B35/565

分类号：C04B35/565;C04B35/622;C04B35/65

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种高致密陶瓷的制备方法，包括下列步骤：1一次混料，2二次混料，3三次混料，4挤出、干燥与烧结，保温冷却到室温得到陶瓷烧结体，打磨抛光后得到高致密陶瓷；本发明的制备方法能够提供高纯度的碳化硅材料，其中杂质含量极低，有助于提高材料的稳定性和可靠性；克服了反应烧结致密度有限的问题，有效降低了制备成本；产品具有高抗弯强度，延长了产品的使用寿命，有效减少了资源的浪费。

主权项：1.一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：1一次混料，将3000～3500重量份的粗碳化硅粉料、250～300重量份的碳化硅细粉、50～100重量份的石墨、250～300重量份的碳黑、50～100重量份的羧甲基纤维素钠混合，得到一次处理混合料；2二次混料，将500～600重量份的纯水、80～120重量份的聚乙烯粘结剂与胺磺化减水剂混合；然后加入所述一次处理混合料，得到二次处理混合料；3三次混料，将12-20重量份的水泥增强剂加入到二次处理混合料中得到三次处理混合料，对三次混合料进行加热搅拌混合，混合均匀后将泥料密封后陈腐，即可得到陶瓷泥料；4挤出、干燥与烧结，将所述陶瓷泥料挤出获得挤出样板，将挤出样板向下倾斜20～30°放置在室温下阴干12～24h，之后对阴干后的挤出样板进行烘干，得到碳化硅板；将喷好涂层的承烧板装载于烧结炉中，将碳化硅板置于其上进行烧结，并埋适量的硅；抽真空并充入惰性气体，以1～20℃min的速度升温至500～1200℃，保温1～6小时，再以1-10℃min的升温速率升温至1400～1750℃，保温1～6小时后冷却到室温，保温冷却到室温得到陶瓷烧结体，打磨抛光后得到高致密陶瓷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 穆智(上海)新能源科技有限公司 一种高致密陶瓷的制备方法

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