申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2023-08-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790507A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L21/8238

优先权：["20220927 US 17/953,873"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：本文提供了用以形成半导体器件的技术，所述半导体器件包括一个或多个具有非常高的纵横比例如，5:1或更大的纵横比，例如，10:1的栅极切口。在示例中，一种半导体器件包括作为围绕半导体区或者在其他情况下位于半导体区上的晶体管栅极结构的部分的导电材料。例如，半导体区可以是在源极区和漏极区之间延伸的半导体材料的鳍状物，或者可以是在源极区和漏极区之间延伸的半导体材料的一个或多个纳米线或纳米带。可以采用延伸穿过栅极结构的整个厚度的栅极切口使栅极结构在两个晶体管之间中断。可以执行特定的等离子体蚀刻工艺，以形成具有非常高的高度与宽度纵横比的栅极切口，从而实现密集的集成器件。

主权项：1.一种集成电路，包括：第一半导体器件，其具有从第一源极区到第一漏极区沿第一方向延伸的第一半导体区、以及在所述第一半导体区之上沿第二方向延伸的第一栅极结构；第二半导体器件，其具有从第二源极区到第二漏极区沿所述第一方向延伸的第二半导体区、以及在所述第二半导体区之上沿所述第二方向延伸的第二栅极结构；以及栅极切口，其位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间并且将所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分开，所述栅极切口包括电介质材料并且具有至少8:1的高度与宽度纵横比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 高纵横比金属栅极切口

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