申请/专利权人：深圳市宽腾源科技有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790281A

主分类号：H01J49/06

分类号：H01J49/06;H01J49/42

优先权：["20231218 CN 202311743081X"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本申请的各实施方式总体上涉及结电极、离子阱芯片、结电极离子输运及电压优化方法。具体地，本申请涉及一种结电极，该结电极包括：多个子电极，多个子电极形成几何输运通道，几何输运通道至少包括非直线通道段和直线通道段；其中，邻近非直线通道段对应的至少部分子电极与其余直线通道段对应的子电极的交流电压可配置为不同，以降低非直线通道段对应的供离子输运的赝势通道的势垒。

主权项：1.一种结电极，其特征在于，包括：多个子电极，多个所述子电极形成几何输运通道，所述几何输运通道至少包括非直线通道段和直线通道段；其中，邻近所述非直线通道段对应的至少部分所述子电极与其余所述直线通道段对应的所述子电极的交流电压可配置为不同，以降低所述非直线通道段对应的供离子输运的赝势通道的势垒。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市宽腾源科技有限公司 结电极、离子阱芯片、结电极离子输运及电压优化方法

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