申请/专利权人：广东爱旭科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117783671A

主分类号：G01R27/02

分类号：G01R27/02;H01L21/66;G01N27/04;G01N1/44

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明适用于硅片测技术领域，提供了一种硅片真实电阻率的测试方法和电阻率测试设备，其包括：在室温下测量硅片的电阻率以得到的第一温度以及与第一温度对应的第一电阻率值；对硅片进行加热以使硅片的温度升高至第二温度；在第二温度下测量硅片的电阻率值以得到与第二温度对应的第二电阻率值；将第一温度和第一电阻率值以及第二温度和第二电阻率值分别代入至预定公式中，以求解得出硅片的掺杂浓度和热施主浓度；将预设公式中的热施主浓度置零，并将求解得出的掺杂浓度重新代入至预设公式中，以计算得出硅片的真实电阻率。如此，无需将硅片在高温退火来消除热施主后再进行电阻率测试，测试条件和测试过程均较为简单，测试周期也较短。

主权项：1.一种硅片真实电阻率的测试方法，其特征在于，包括：在室温下测量硅片的电阻率以得到的第一温度以及与所述第一温度对应的第一电阻率值；对所述硅片进行加热以使所述硅片的温度升高至第二温度；在所述第二温度下测量所述硅片的电阻率值以得到与所述第二温度对应的第二电阻率值；将所述第一温度和所述第一电阻率值以及所述第二温度和第二电阻率值分别代入至预定公式中，以求解得出所述硅片的掺杂浓度和热施主浓度；其中，所述预定公式为硅片温度、电阻率、掺杂浓度以及热施主浓度的关系式；将所述预设公式中的热施主浓度置零，并将求解得出的掺杂浓度重新代入至所述预设公式中，以计算得出所述硅片的真实电阻率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东爱旭科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司 硅片真实电阻率的测试方法和电阻率测试设备

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