申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-11-30

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795670A

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L25/00;H01L25/065;H10B80/00;H01L23/00;H01L23/538;H01L23/522;H01L23/525

优先权：["20211230 IN 202141061702","20220526 US 17/824,974"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：一种微电子器件、包括该器件的半导体封装、包括该封装的IC器件组件以及制造该器件的方法。所述器件包括：衬底；所述衬底上的物理层PHY电路装置，包括多个接收RX电路和多个发送TX电路；电触点结构，所述电触点结构在所述器件的底表面处；信号传送路径，所述信号传送路径在一方面的所述电触点结构与另一方面的所述RX电路中的至少一些或所述TX电路中的至少一些之间延伸；以及电通路，所述电通路通向所述PHY电路装置并且被配置为实现以下中的至少一者：输入到所述器件的启用信号将行进通过所述电通路中的至少一些电通路以启用所述PHY电路装置的一部分；以及输入到所述器件的禁用信号将行进通过所述电通路中的至少一些电通路以禁用所述PHY电路装置的对应部分。

主权项：1.一种微电子器件，包括：衬底；所述衬底上的物理层PHY电路装置，包括多个接收RX电路和多个发送TX电路；电触点结构，所述电触点结构在所述器件的底表面处；信号传送路径，所述信号传送路径在一方面的所述电触点结构与另一方面的所述RX电路中的至少一些RX电路或所述TX电路中的至少一些TX电路之间延伸；以及电通路，所述电通路通向所述PHY电路装置并且被配置为实现以下中的至少一者：输入到所述器件的启用信号将行进通过所述电通路中的至少一些电通路以启用所述PHY电路装置的一部分；或者输入到所述器件的禁用信号将行进通过所述电通路中的至少一些电通路以禁用所述PHY电路装置的对应部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 包括可交换PHY电路装置的微电子管芯和包括该微电子管芯的半导体封装

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