申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117784536A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供一种套刻标记补偿装置，包括第一套刻控制反馈模块，其用于：获取当前批次晶圆组的显影后检测的第一量测值；根据量测值获取套刻标记的第一补偿值；第二套刻控制反馈模块，其用于：获取当前批次晶圆组的刻蚀后检测的第二量测值；根据第二量测值获取套刻标记的第二补偿值；套刻标记补偿值迭代模块，其用于：判断第二补偿值是否用于套刻标记的补偿，若是，则以第一、二补偿值之和作为之后批次晶圆组的套刻标记补偿值；若否，则以第一补偿值作为之后批次晶圆组的套刻标记补偿值。本发明能够使先进工艺中其他非光刻因素造成的OVL偏差通过光刻工艺预补偿实现最终器件当层与前层的套刻更加精确优化。

主权项：1.一种套刻标记补偿装置，其特征在于，包括：第一套刻控制反馈模块，其用于：获取当前批次晶圆组的显影后检测的第一量测值；根据所述量测值获取套刻标记的第一补偿值；第二套刻控制反馈模块，其用于：获取当前批次晶圆组的刻蚀后检测的第二量测值；根据所述第二量测值获取套刻标记的第二补偿值；套刻标记补偿值迭代模块，其用于：判断所述第二补偿值是否用于套刻标记的补偿，若是，则以第一、二补偿值之和作为之后批次晶圆组的套刻标记补偿值；若否，则以第一补偿值作为之后批次晶圆组的套刻标记补偿值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 套刻标记补偿装置

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