申请/专利权人：成都矽能科技有限公司

申请日：2019-09-17

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN110491889B

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2019.12.17#实质审查的生效;2019.11.22#公开

摘要：本发明提供了一种SOI横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、第一导电类型轻掺杂硅、第二导电类型扩散阱区、第一导电类型沟道注入区、第二导电类型重掺杂区、第一重掺杂区、第二重掺杂区、氧化介质层、金属阳极和金属阴极，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区均为第一导电类型。本发明恒流二极管采用SOI技术，可有效防止集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。

主权项：1.一种SOI横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，其特征在于，所述元胞包括衬底（0）、埋氧层（1）、第一导电类型轻掺杂硅（2）、第二导电类型扩散阱区（3）、第一导电类型沟道注入区（4）、第二导电类型重掺杂区（5）、第一重掺杂区（6）、第二重掺杂区（7）、氧化介质层（8）、金属阳极（9）和金属阴极（10），所述第一重掺杂区（6）和所述第二重掺杂区（7）均为第一导电类型；所述埋氧层（1）位于衬底（0）上，所述第一导电类型轻掺杂硅（2）位于埋氧层（1）上；所述第二导电类型扩散阱区（3）和第二重掺杂区（7）间隔的位于第一导电类型轻掺杂硅（2）中，所述第二导电类型重掺杂区（5）和第一重掺杂区（6）侧面相互接触的位于第二导电类型扩散阱区（3）内；所述第一导电类型沟道注入区（4）位于第一重掺杂区（6）和第一导电类型轻掺杂硅（2）之间的所述第二导电类型扩散阱区（3）的上层；所述第二导电类型重掺杂区（5）和第一重掺杂区（6）与金属阴极（10）欧姆接触，所述第二重掺杂区（7）与金属阳极（9）欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都矽能科技有限公司 一种SOI横向恒流二极管及其制造方法

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