申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-08-24

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN113707614B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2021.12.14#实质审查的生效;2021.11.26#公开

摘要：本发明提供一种柱状电容器阵列结构的制备方法及半导体结构，属于半导体制造技术领域，本发明柱状电容器阵列结构的制备方法在去除掩膜层之前先将外围区域的掩膜层与阵列区域的掩膜层的厚度调整为相同，从而避免由于掩膜层厚度不同而导致的顶部支撑层的损失。另外，本发明制备方法还利用补充支撑层增加顶部支撑层的厚度，以增大顶部支撑层的支撑力度，从而进一步避免由于顶部支撑层支撑力度不够而导致柱状电容倾斜的情况发生。

主权项：1.一种柱状电容器阵列结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底内设置有若干个导电垫，在所述衬底上堆叠设置有第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层、初始支撑层及掩膜层，所述衬底被划分为阵列区域及外围区域，位于所述阵列区域的掩膜层的厚度小于位于所述外围区域的掩膜层的厚度，在所述阵列区域，若干个电容孔贯穿所述掩膜层、初始支撑层、第二牺牲层、中间支撑层及第一牺牲层，暴露出所述导电垫；在所述电容孔内填充导电材料，形成所述柱状电容器的下电极，所述下电极与所述导电垫电连接，所述下电极仅位于所述电容孔内；在所述外围区域，刻蚀去除部分掩膜层，使得所述外围区域剩余的掩膜层与所述阵列区域的掩膜层的厚度相同；刻蚀去除所述外围区域剩余的掩膜层及所述阵列区域的掩膜层，暴露出所述初始支撑层；在所述初始支撑层上形成补充支撑层，所述初始支撑层与所述补充支撑层共同作为顶部支撑层；图案化所述顶部支撑层，并去除所述第二牺牲层；图案化所述中间支撑层，并去除所述第一牺牲层；形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底层、所述下电极、所述中间支撑层、所述顶部支撑层暴露的表面；形成上电极，所述上电极覆盖所述介质层表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 柱状电容器阵列结构的制备方法及半导体结构

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