申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2022-06-06

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN114880987B

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体器件的失配模型的建模方法及装置。本申请的建模方法中，通过获取M个半导体器件中每个半导体器件的目标电性参数的实测值，将M个半导体器件的N个目标参数构成的N维空间划分为S个子空间，根据N个目标参数在每个子空间中的取值和预设关系式，获取N个目标参数在每个子空间中的取值所对应的目标电性参数的取值；根据N个目标参数对应的目标电性参数的取值和N个目标参数对应的实测值，拟合得到N个目标参数在每个子空间中的取值与目标电性参数的取值之间的目标关系式，根据该目标关系式构建失配模型。本申请的建模方法可以提高失配模型仿真产生的失配特性和实际测量数据得到的失配特性之间拟合的精度。

主权项：1.一种半导体器件的失配模型的建模方法，其特征在于，所述方法包括：获取M个半导体器件中每个半导体器件的目标电性参数的实测值，M为正整数；将所述M个半导体器件的N个目标参数构成的N维空间划分为S个子空间，所述半导体器件的所述目标电性参数的取值与所述N个目标参数中每个目标参数关联，所述S个子空间互不重叠，N为正整数，S为大于1的整数；根据所述M个半导体器件的所述N个目标参数在所述S个子空间中每个子空间中的取值和所述每个子空间对应的预设关系式，获取所述M个半导体器件的所述N个目标参数在所述每个子空间中的取值所对应的所述目标电性参数的取值；根据所述M个半导体器件的所述N个目标参数在所述每个子空间中的取值所对应的所述目标电性参数的取值和所述M个半导体器件的所述N个目标参数在所述每个子空间中的取值所对应的实测值，拟合得到所述M个半导体器件的所述N个目标参数在所述每个子空间中的取值与所述目标电性参数的取值之间的目标关系式；根据所述M个半导体器件的所述N个目标参数在所述S个子空间中的取值与所述目标电性参数的取值之间的S个目标关系式构建所述失配模型，所述失配模型用于基于所述N个目标参数的取值获取所述M个半导体器件的所述目标电性参数的失配量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 半导体器件的失配模型的建模方法及装置

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