申请/专利权人：众瑞速联(武汉)科技有限公司

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117389071B

主分类号：G02F1/015

分类号：G02F1/015;G02F1/03

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本申请涉及电光调制器的技术领域，具体涉及一种PN结掺杂结构、低损耗电光调制器及其制备方法，低损耗电光调制器包括PN结掺杂结构，PN结掺杂结构包括脊波导、限制层，脊波导包括依次连接的第一N型掺杂区域、第二N型掺杂区域、第二P型掺杂区域、第一P型掺杂区域，其中，所述第一N型掺杂区域的掺杂浓度大于所述第二N型掺杂区域，所述第一P型掺杂区域的掺杂浓度大于第二P型掺杂区域，所述第二N型掺杂区域、所述第二P型掺杂区域间形成横向PN结；限制层覆设于横向PN结端面，其中，用于制作所述限制层的材料的折射率大于二氧化硅的折射率，小于硅的折射率。本申请具有低光学损耗的效果。

主权项：1.PN结掺杂结构，其特征在于，包括：脊波导，其包括依次连接的第一N型掺杂区域3、第二N型掺杂区域5、第二P型掺杂区域6、第一P型掺杂区域8，其中，所述第一N型掺杂区域3和所述第一P型掺杂区域8的掺杂浓度范围为1020cm3到1021cm3之间，所述第二N型掺杂区域5和所述第二P型掺杂区域6的掺杂浓度范围为1017cm3到1018cm3之间，所述第二N型掺杂区域5、所述第二P型掺杂区域6间形成横向PN结；限制层9，其覆设于横向PN结端面，其中，用于制作所述限制层9的材料为氮化硅或氮氧化硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 众瑞速联(武汉)科技有限公司 PN结掺杂结构、低损耗电光调制器及其制备方法

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