申请/专利权人：江阴圣邦微电子制造有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117805673A

主分类号：G01R31/52

分类号：G01R31/52;G01N21/95

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法，包括：针对芯片不同部位的失效定位需求，搭建待测芯片的参考工作状态，使待失效定位部位的内部漏电流不超过设定阈值；内部漏电流为待失效定位部位的内部电流与通过实验或仿真得到的标准芯片在相同部位、相同工作状态下的内部电流之差；通过微光显微镜EMMI定位获取参考工作状态下待失效定位部位的亮点结果；搭建待测芯片的异常工作状态，使待失效定位部位的漏电流超出所述设定阈值；通过微光显微镜EMMI定位获取异常工作状态下待失效定位部位的亮点结果；比较参考工作状态和异常工作状态下的亮点结果，将新增或减少的亮点视为待测芯片漏电的关联失效点。本发明能在没有好样品时实现芯片的失效定位分析。

主权项：1.一种针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1：针对芯片不同部位的失效定位需求，搭建待测芯片的参考工作状态，使得待失效定位部位的内部漏电流不超过设定阈值；其中，所述内部漏电流为待失效定位部位的内部电流与通过实验或仿真得到的标准芯片在相同部位、相同工作状态下的内部电流之差；步骤2：通过微光显微镜EMMI定位获取所述参考工作状态下待失效定位部位的亮点结果；步骤3：搭建待测芯片的异常工作状态，使得待失效定位部位的漏电流超出所述设定阈值；步骤4：通过微光显微镜EMMI定位获取异常工作状态下待失效定位部位的亮点结果；步骤5：比较步骤4得到的亮点结果与步骤2得到的亮点结果，将新增或减少的亮点视为待测芯片漏电的关联失效点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江阴圣邦微电子制造有限公司 一种针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法

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