申请/专利权人：深圳晶源信息技术有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117806118A

主分类号：G03F1/70

分类号：G03F1/70;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种曲线掩模模型优化方法、装置、存储介质及计算机设备。曲线掩模模型优化方法，包括：提供目标光刻图形，基于目标光刻图形采用二次B样条曲线构造与所述目标光刻图形相匹配的曲线掩模模型；对所述曲线掩模模型进行正向计算仿真，获取光刻胶图形；并计算所述光刻胶图形与所述目标光刻图形之间的图形偏差值；基于图形偏差值及正向计算仿真过程进行反向光刻运算，获取曲线掩模模型的控制点对于曲线掩模模型的影响，从而得到二次B样条曲线的控制点对图形偏差值的影响关系式；根据影响关系式调节控制点，得到优化的曲线掩模模型。解决了计算掩膜图像的过程时间较长的问题。

主权项：1.曲线掩模模型优化方法，其特征在于，包括：提供目标光刻图形，基于目标光刻图形采用二次B样条曲线构造与所述目标光刻图形相匹配的曲线掩模模型；对所述曲线掩模模型进行正向计算仿真，获取光刻胶图形；并计算所述光刻胶图形与所述目标光刻图形之间的图形偏差值；基于图形偏差值及正向计算仿真过程进行反向光刻运算，并获取曲线掩模模型的控制点对于曲线掩模模型的影响，从而得到二次B样条曲线的控制点对图形偏差值的影响关系式；根据影响关系式调节控制点，得到优化的曲线掩模模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳晶源信息技术有限公司 曲线掩模模型优化方法、装置、存储介质及计算机设备

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