申请/专利权人:北京邮电大学
申请日:2023-11-30
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810659A
主分类号:H01P1/208
分类号:H01P1/208
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本申请提供一种基于基片集成波导的柔性微波滤波器,为了减小SIW滤波器的尺寸,采用半模基片集成波导HMSIW结构,HMSIW相当于完整SIW谐振腔的一半,HMSIW的一边是和SIW谐振腔相同的金属化通孔阵列,另一边则是平整的开口面。减小了柔性滤波器的物理尺寸,使滤波器在低频段工作时,仅占用了较小的物理体积。分布式DMS结构的引入可以减轻DGS结构在弯曲时引起的性能变化,从而减少滤波器在弯曲状态下产生的频率偏移,使柔性滤波器在较大的弯曲程度下,也能保持性能的稳定,平坦状态和弯曲状态下的性能基本保持了一致。
主权项:1.一种基于基片集成波导的柔性微波滤波器,其特征在于,包括:从上到下依次层叠设置的第一金属层、介质基板、第二金属层以及金属化通孔阵列,所述第一金属层上设置有第一微带线馈线以及第二微带线馈线,所述金属化通孔阵列贯穿所述介质基板并与所述第一金属层以及所述第二金属层共同围成HMSIW谐振腔;所述第一金属层还设置有第一DGS耦合窗、第二DGS耦合窗以及第三DGS耦合窗;所述第二金属层设置有第一环形耦合窗、第二环形耦合窗以及第三环形耦合窗,所述第一环形耦合窗靠近所述第二环形耦合窗的一侧设置有第一交指DGS结构,所述第二环形耦合窗靠近所述第一环形耦合窗的一侧设置有第二交指DGS结构,所述第二环形耦合窗靠近所述第三环形耦合窗的一侧设置有第三交指DGS结构,所述第三环形耦合窗靠近所述第二环形耦合窗的一侧设置有第四交指DGS结构;所述第一交指DGS结构与所述第二交指DGS结构相对应,所述第三交指DGS结构与所述第四交指DGS结构相对应;所述第二金属层还蚀刻有第一拼接DGS耦合窗以及第二拼接DGS耦合窗。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 北京邮电大学 基于基片集成波导的柔性微波滤波器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。