申请/专利权人：宁波启朴芯微系统技术有限公司;西北工业大学宁波研究院

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117800280A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B81B7/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供了一种多台阶微流道结构的工艺制备方法，包括：步骤S1，制备氧化硅掩膜层；步骤S2，制备两处第一开窗；步骤S3，腐蚀两个第一开窗下方的氧化硅掩膜层，并于光刻胶层上制备第二开窗；步骤S4，腐蚀两个第一开窗和第二开窗下方的氧化硅掩膜层，并于光刻胶层上制备第三开窗；步骤S5，腐蚀第一、第二、第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到流道结构；步骤S6，腐蚀第二、第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到深槽阶梯结构；步骤S7，腐蚀第三开窗下方的氧化硅掩膜层并于单晶硅上刻蚀得到浅槽阶梯结构；步骤S8，去除氧化硅掩膜层并于单晶硅上表面键合衬底进行晶圆级封装。有益效果是本发明可实现多种深度槽结构的制备。

主权项：1.一种多台阶微流道结构的工艺制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，于单晶硅3表面制备得到氧化硅掩膜层2；步骤S2，在位于所述单晶硅3上表面的所述氧化硅掩膜层2上敷涂一光刻胶层1，沿所述光刻胶层1的长度方向在所述光刻胶层1上光刻制备两处第一开窗5并将第一光刻图案转移至两个所述第一开窗5下方的所述氧化硅掩膜层2的表面；步骤S3，基于所述第一光刻图案，腐蚀两个所述第一开窗5下方的所述氧化硅掩膜层2，并在抹匀所述光刻胶层1至覆盖两个所述第一开窗5后，于所述光刻胶层1上光刻制备一第二开窗6且所述第二开窗6位于两个所述第一开窗5之间，以及将第二光刻图案转移至所述第二开窗6下方的所述氧化硅掩膜层2的表面；步骤S4，基于所述第一光刻图案和所述第二光刻图案，腐蚀两个所述第一开窗5和所述第二开窗6下方的所述氧化硅掩膜层2，并在抹匀所述光刻胶层1至覆盖两个所述第一开窗5和所述第二开窗6后，于所述光刻胶层1上光刻制备第三开窗7且所述第三开窗7位于所述第二开窗6和其中任一所述第一开窗5之间，以及将第三光刻图案转移至所述第三开窗7下方的所述氧化硅掩膜层2的表面；步骤S5，基于所述第一光刻图案、所述第二光刻图案和所述第三光刻图案，腐蚀两个所述第一开窗5、所述第二开窗6和所述第三开窗7下方的所述氧化硅掩膜层2至清除所述两个所述第一开窗5下方的所述氧化硅掩膜层2，并于两个所述第一开窗5下方的所述单晶硅3上刻蚀得到流道结构；步骤S6，腐蚀所述第二开窗6和所述第三开窗7下方的所述氧化硅掩膜层2至清除所述第二开窗6下方的所述氧化硅掩膜层2，并基于所述流道结构，于两个所述第一开窗5和所述第二开窗6下方的所述单晶硅3上刻蚀得到深槽阶梯结构；步骤S7，腐蚀所述第三开窗7下方的所述氧化硅掩膜层2至清除所述第三开窗7下方的所述氧化硅掩膜层2，并基于所述深槽阶梯结构，于两个所述第一开窗5、所述第二开窗6和所述第三开窗7下方的所述单晶硅3上刻蚀得到浅槽阶梯结构；步骤S8，去除残留的所述氧化硅掩膜层2，并于所述单晶硅3上表面键合衬底4进行晶圆级封装。

全文数据：

权利要求：

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