申请/专利权人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日:2023-12-27
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810125A
主分类号:H01L21/67
分类号:H01L21/67
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本公开实施例提出了用于对硅片进行打标的方法和设备,所述方法包括:通过激光在硅片上形成用于具有第一宽度和第一深度的标识凹部;对所述标识凹部进行刻蚀,以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度。
主权项:1.一种用于对硅片进行打标的方法,其特征在于,所述方法包括:通过激光在硅片上形成用于具有第一宽度和第一深度的标识凹部;对所述标识凹部进行刻蚀,以使所述标识凹部的所述第一宽度和所述第一深度分别扩大至第二宽度和第二深度。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 用于对硅片进行打标的方法和设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。