申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-07-27

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813676A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;C23C16/50;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/683

优先权：["20210803 JP 2021-127644"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由上述基片支承部供给到该基片支承部的上述载置面与上述温度调节对象体的背面之间来形成传热层的步骤；对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤；和在等离子体处理后，将上述温度调节对象体与上述载置面分隔开的步骤。

主权项：1.一种对基片进行等离子体处理的处理方法，其特征在于，包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由所述基片支承部供给到该基片支承部的所述载置面与所述温度调节对象体的背面之间来形成传热层的步骤；对形成了所述传热层的所述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤；和在等离子体处理后，将所述温度调节对象体与所述载置面分隔开的步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 处理方法和等离子体处理装置

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