申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813547A

主分类号：G03F1/86

分类号：G03F1/86;G03F7/20

优先权：["20210811 US 63/232,135"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：公开了一种用于检测掩模上的多个缺陷的改进的方法和系统。改进的方法包括：在晶片被使用掩模的光刻系统曝光以所选工艺条件曝光之后检查曝光晶片，该所选工艺条件是基于所选工艺条件下的掩模缺陷适印性确定的；以及基于检查标识由掩模上的缺陷引起的晶片缺陷，以实现对掩模上的缺陷的标识。

主权项：1.一种装置，包括：存储指令集的存储器；以及至少一个处理器，被配置为执行所述指令集以使所述装置执行：在晶片被使用掩模的光刻系统以所选择的工艺条件曝光之后检查经曝光的晶片，所选择的所述工艺条件是基于在所选择的所述工艺条件下的掩模缺陷适印性而被确定的；以及基于所述检查来标识由所述掩模上的缺陷引起的晶片缺陷，以实现对所述掩模上的所述缺陷的标识。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASML荷兰有限公司 掩模缺陷检测

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