申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809727A

主分类号：G11C29/32

分类号：G11C29/32;G11C29/50;G11C29/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开提供一种动态随机存储器测试方法及装置，涉及存储器技术领域。动态随机存储器包括衬底和多个存储单元，各个存储单元包括存储电容和第一晶体管NMOS晶体管，各个存储单元的存储电容的第一极板与对应第一晶体管的漏极电连接，各个存储单元的第一晶体管的P型硅基板与衬底电连接，该方法包括：通过在衬底上施加第一电压，并在各个存储单元的存储电容的第二极板上施加第二电压，对各个存储单元的存储电容进行充电，第一电压高于第二电压；在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，对各个存储单元进行读取操作，以对动态随机存储器进行老炼测试。该方法可避免老炼测试中写入背景采用激活、写入、预充电的指令动作而导致的相关电路的损耗。

主权项：1.一种动态随机存储器测试方法，其特征在于，所述动态随机存储器包括衬底和多个存储单元，各个存储单元包括存储电容和第一晶体管，所述第一晶体管为NMOS晶体管，各个存储单元的存储电容的第一极板与对应第一晶体管的漏极电连接，各个存储单元的第一晶体管的P型硅基板与所述衬底电连接，所述方法包括：通过在所述衬底上施加第一电压，并在各个存储单元的存储电容的第二极板上施加第二电压，对各个存储单元的存储电容进行充电，所述第一电压高于所述第二电压；在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，对所述各个存储单元进行读取操作，以对所述动态随机存储器进行老炼测试。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 动态随机存储器测试方法及装置

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