申请/专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2021-11-15

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810269A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请提供一种薄膜晶体管、电子装置及其制备方法及显示装置，所述薄膜晶体管包括：驱动电路层，包括叠设在一起的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；第一、第二和第三金属层中的一者形成栅极，第一、第二和第三金属层中的另外两者形成源极和漏极；栅极绝缘层，设置于驱动电路层的侧壁上；及半导体层，设置于栅极绝缘层的表面；半导体层包括漏极掺杂区、源极掺杂区及沟道区，漏极掺杂区及源极掺杂区分别与第一、第二和第三金属层中的用于形成漏极及源极的金属层电连接，沟道区与第一、第二和第三金属层中的形成栅极的金属层相对。本申请提供薄膜晶体管、电子装置及显示装置能够减小膜晶体管的体积、提高图像的采样率。

主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：驱动电路层，包括分别用于形成所述薄膜晶体管的源极、栅极、漏极的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层和所述第二金属层中至少一者的上方或下方；栅极绝缘层，设置于所述驱动电路层的侧壁上，所述侧壁具有一倾斜面；以及半导体层，设置于所述栅极绝缘层的背离所述驱动电路层的表面上，所述半导体层包括源极掺杂区、漏极掺杂区及沟道区，所述沟道区与第二金属层相对；其中，所述栅极绝缘层上开设有过孔，所述过孔分别对应所述第一金属层和所述第三金属层，所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区分别通过对应的所述过孔与所述第一金属层和所述第三金属层电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管、电子装置及其制备方法及显示装置

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