申请/专利权人：无锡地沿科技有限公司

申请日：2024-01-02

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117811503A

主分类号：H03B28/00

分类号：H03B28/00;H03H7/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请实施例公开了一种高压高频正弦波发生电路和波束合成方法，属于高压高频电路技术领域，包括驱动模块、第一MOS管、第二MOS管、电容器和电感器；驱动模块的输入端与外界控制器进行信号连接，驱动模块的输出端与第一MOS管和第二MOS管的栅极驱动信号反向；第一MOS管的漏极与正电源相连接，第二MOS管的源极与负电源相连接，第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极相连接；电容器和电感器组成并联谐振电路，并联谐振电路的输入端与第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极相连接，并联谐振电路的输出端高压正弦和负载Rload相连接，为了MOSFET的开关损耗降低，能使单相MOS管的开关周期变长，频率降低，通过多相组合使得功率MOSFET工作到更高的频率。

主权项：1.一种高压高频正弦波发生电路和波束合成方法，其特征在于，包括驱动模块、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、电容器C和电感器L；驱动模块的输入端与外界控制器进行信号连接，驱动模块的输出端与第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的栅极相连接；第一MOS管Q1的漏极与电源正极相连接，第二MOS管Q2的源极与电源负极相连接，第一MOS管Q1的源极与第二MOS管Q2的漏极相连接；电容器C和电感器L组成并联谐振电路，并联谐振电路的输入端与第一MOS管Q1的源极和第二MOS管Q2的漏极相连接，并联谐振电路的输出端高压正弦和负载Rload相连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡地沿科技有限公司 一种高压高频正弦波发生电路和波束合成方法

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