申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813681A

主分类号：H01L23/00

分类号：H01L23/00

优先权：["20210902 US 63/240,312"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：披露了一种用于形成半导体封装件的方法。该方法包括提供包括第一介电层的第一衬底。该方法包括用包含铝的第一粘合层覆盖该第一介电层的第一表面。该方法包括提供包括第二介电层的第二衬底。该方法包括用包含烷氧基硅氧化物的第二粘合层覆盖该第二介电层的第二表面。该方法包括通过结合该第一粘合层和该第二粘合层来形成第三粘合层，以便将该第一衬底粘合到该第二衬底。

主权项：1.一种结构，其包括：第一衬底；第二衬底；以及将该第一衬底粘合到该第二衬底的包含AlSiO的粘合层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 粘合层和制造方法

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