申请/专利权人：芝浦机械电子装置株式会社

申请日：2023-09-13

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810075A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32

优先权：["20220930 JP 2022-157365"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种在将组成元素不同的层层叠，并对包含其中一种元素的层进行各向同性蚀刻的情况下可提高相对于另一种元素而言的其中一种元素的选择比的半导体装置的制造方法及等离子体处理装置。制造方法包括如下工序：在层叠体的包含侧面的表面形成保护膜，层叠体层叠有第一层以及组成元素与第一层不同的第二层；以及对形成有保护膜的层叠体进行各向同性蚀刻。形成保护膜的工序是使用利用等离子体激励第一气体并使其活化而生成的第一自由基来进行。对层叠体进行各向同性蚀刻的工序是使用利用等离子体激励与第一气体不同的第二气体并使其活化而生成的第二自由基来进行。形成保护膜的工序与对层叠体进行各向同性蚀刻的工序是在相同的气氛内进行。

主权项：1.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在层叠体的包含侧面的表面形成保护膜，所述层叠体层叠有第一层以及组成元素与所述第一层不同的第二层；以及对形成有所述保护膜的所述层叠体进行各向同性蚀刻，形成所述保护膜的工序是使用利用等离子体激励第一气体并使其活化而生成的第一自由基来进行，对所述层叠体进行各向同性蚀刻的工序是使用利用等离子体激励与所述第一气体不同的第二气体并使其活化而生成的第二自由基来进行，形成所述保护膜的工序与对所述层叠体进行各向同性蚀刻的工序是在相同的气氛内进行。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芝浦机械电子装置株式会社 半导体装置的制造方法及等离子体处理装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD