申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810018A

主分类号：H01H33/662

分类号：H01H33/662;H01H33/664;G06F30/23;G06F30/27;G06N3/0499;G06N3/084;G06N3/126;G06F111/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构及优化方法，屏蔽结构包括多个对称设置在灭弧室周围且用于屏蔽邻路产生的横向磁场的屏蔽单元；每个屏蔽单元包括：一块设置在灭弧室外侧的弧状铁芯，以及两块分别设置在灭弧室左侧和右侧的块状铁芯；弧状铁芯与块状铁芯不直接相连；弧状铁芯用于提高电弧截面直径方向磁场的对称性；块状铁芯用于提高电弧截面沿圆弧方向磁场的均匀性。与现有的磁屏蔽结构相比，本发明提供的铁芯独立可以灵活调整且不易饱和，同时可以结合智能算法进行尺寸寻优，从而获得最优的磁场屏蔽效果。

主权项：1.一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构，包括多个对称设置在灭弧室周围且用于屏蔽邻路产生的横向磁场的屏蔽单元；其特征在于，每个屏蔽单元包括：一块设置在灭弧室外侧的弧状铁芯51，以及两块分别设置在所述灭弧室左侧和右侧的块状铁芯53；所述弧状铁芯51与所述块状铁芯53不直接相连；所述弧状铁芯51用于提高电弧截面直径方向磁场的对称性；所述块状铁芯53用于提高电弧截面沿圆弧方向磁场的均匀性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种多断口真空断路器路间横向磁场屏蔽结构及优化方法

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