申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810079A

主分类号：H01L21/329

分类号：H01L21/329;H01L29/06;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本发明公开一种功率二极管消除温度不均匀的不均匀元胞布局方法，包括如下步骤：S1：准备一个待调控温度的功率二极管的芯片，测定所述芯片的二维平面上的温度分布参考值；S2：在S1基础上采用选取半导体材料；S3：所述元胞尺寸和所述元胞间距根据对应所述温度值T的T1、T2、T3........Tn而调控对应位置D的D1、D2、D3、.........Dn上的导通电阻RS，所述导通电阻RS逐渐减小，使得温度值T高的位置D导通电阻增大，温度值T低的位置D导通电阻减小，温度值T高的位置D通流能力降低，发热减少，温度值T低的位置D通流能力提高，发热增多，实现芯片整体温度分布均匀性的提升。

主权项：1.一种功率二极管消除温度不均匀的不均匀元胞布局方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：准备一个待调控温度的功率二极管的芯片，测定所述芯片的二维平面上的温度分布参考值，测定后得到温度分布参考值包括温度值T和对应的位置D，温度值T由高至低依次标记为T1、T2、T3........Tn，所述温度值T对应的芯片上的位置D依次标记为D1、D2、D3、.........Dn；S2：在S1基础上采用选取半导体材料，并测定半导体材料的发热和散热特性；S3：根据所述温度分布参考值设计布局版图，所述布局版图包括元胞尺寸和元胞间距，所使用的元胞为S2中选取的半导体材料制作，所述元胞尺寸和所述元胞间距根据对应所述温度值T的T1、T2、T3........Tn而调控对应位置D的D1、D2、D3、.........Dn上的导通电阻RS，所述导通电阻RS逐渐减小，使得温度值T高的位置D导通电阻增大，温度值T低的位置D导通电阻减小，温度值T高的位置D通流能力降低，发热减少，温度值T低的位置D通流能力提高，发热增多，实现芯片整体温度分布均匀性的提升；S4：根据布局版图流片制造形成不均匀元胞布局。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种功率二极管消除温度不均匀的不均匀元胞布局方法

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