申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813931A

主分类号：H10B41/27

分类号：H10B41/27;H10B41/10;H10B41/50;H10B43/10;H10B43/27;H10B43/50;H10B43/35;H10B41/35

优先权：["20210823 US 17/409,434"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本发明公开一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔的存储器块，所述竖直堆叠包括在导体层级上方的交替的绝缘层级及导电层级。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级而到所述导体层级中的沟道材料串构造。所述沟道材料串构造的沟道材料直接电耦合到所述导体层级的导体材料。所述导体层级包括岛状物，所述岛状物包括具有不同于包围所述岛状物中的个别者的所述导体层级的所述导体材料的组合物的组合物的材料。所述岛状物直接抵靠所述沟道材料串构造的底部。中介材料横向介于所述存储器块中的横向紧邻者之间且纵向沿着所述存储器块中的横向紧邻者。本发明公开包含方法的其它方面。

主权项：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成包括导体材料的导体层级，所述导体层级具有包括所述导体材料的顶表面，所述导体层级包括在将形成个别沟道材料串的位置中的岛状物，所述岛状物从所述顶表面向下间隔且具有不同于在其上方的所述导体材料的组合物；形成个别地包括竖直堆叠的横向间隔的存储器块区，所述竖直堆叠包括在所述导体层级正上方的交替的第一层级及第二层级，所述第一层级的材料具有不同于所述第二层级的材料的组合物；蚀刻沟道开口穿过所述第一层级及所述第二层级且停止在所述岛状物上；及；在所述沟道开口中的个别者中形成沟道材料串构造且使其延伸以直接抵靠在其下方的所述岛状物，所述沟道材料串构造的沟道材料直接电耦合到所述导体层级中的所述导体材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

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