申请/专利权人：塔莱斯公司;利摩日大学;国立科学研究中心;格洛光电公司

申请日：2022-07-07

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813533A

主分类号：G02B6/02

分类号：G02B6/02;G02B6/28;G02B6/032

优先权：["20210708 FR 2107433"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：一种用于耦合光纤的装置D，包括：‑第一耦合受抑制的空芯光纤FO1，包括第一微结构化包层SCF1，所述第一微结构化包层SCF1包括多个第一限制管状特征MCF1，所述多个第一限制管状特征分布成环并且至少部分地包围第一芯C1，以便至少将波长λop的辐射限制于所述第一芯；‑第二耦合受抑制的空芯光纤FO2，包括第二微结构化包层SCF2，所述第二微结构化包层SCF2包括多个第二限制管状特征MCF2，所述多个第二限制管状特征分布成环并且至少部分地包围第二芯C2，以便将所述光辐射限制于所述第二芯；‑耦合元件SCP，布置在所述第一芯和所述第二芯之间，所述耦合元件包括至少一个耦合管状特征MCP、MCP1、MCP2、MTa，所述至少一个耦合管状特征MCP、MCP1、MCP2、MTa至少部分地包括在所述第一微结构化包层和或所述第二微结构化包层中，并具有被称为耦合厚度的壁厚度tcp和被称为耦合折射率的材料折射率ncp，所述耦合元件的布置、所述耦合厚度tcp以及所述耦合折射率np被配置为在所述波长λop处产生泄漏通道，所述泄漏通道允许由所述第一光纤引导的辐射耦合到所述第二光纤和或由所述第二光纤引导的辐射耦合到所述第一光纤。

主权项：1.一种用于耦合光纤的装置D，包括：-第一耦合受抑制的空芯光纤FO1，包括第一微结构化包层SCF1，所述第一微结构化包层SCF1包括具有第一厚度的多个第一限制管状特征MCF1，所述第一厚度被称为限制厚度tcf1，所述特征分布成环并且至少部分地包围第一芯C1，以便至少将波长λop的辐射限制于所述第一芯，-第二耦合受抑制的空芯光纤FO2，包括第二微结构化包层SCF2，所述第二微结构化包层SCF2包括具有第二厚度的多个第二限制管状特征MCF2，所述第二厚度被称为限制厚度tcf2，所述特征分布成环并且至少部分地包围第二芯C2，以便将所述光辐射限制于所述第二芯，-耦合元件SCP，布置在所述第一芯和所述第二芯之间，所述耦合元件包括至少一个耦合管状特征MCP、MCP1、MCP2、MTa，所述至少一个耦合管状特征MCP、MCP1、MCP2、MTa至少部分地包括在所述第一微结构化包层和或所述第二微结构化包层中，并具有被称为耦合厚度的壁厚度tcp和被称为耦合折射率的材料折射率ncp，所述耦合厚度tcp与所述第一限制厚度tcf1和所述第二限制厚度tcf2不同，所述耦合元件的布置、所述耦合厚度tcp以及所述耦合折射率np被根据所述波长λop进行配置，以便在所述波长λop处产生泄漏通道，所述泄漏通道允许由所述第一光纤引导的辐射耦合到所述第二光纤和或由所述第二光纤引导的辐射耦合到所述第一光纤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 塔莱斯公司;利摩日大学;国立科学研究中心;格洛光电公司 用于耦合空芯光纤并包括耦合元件的耦合装置

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