申请/专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810330A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种LED结构、其制造方法及相应的LED芯片。LED结构包括外延叠层和位于外延叠层两侧的金属电极层，外延叠层包括沿生长方向依次堆叠的n型扩展层、n型限制层、有源层、p型限制层和p型导电层，n型扩展层是n型AlInP层或n型AlGaInP层且通过高温扩散工艺实现高浓度Te掺杂。本发明无需设置独立的n型导电层，且在实现同样或更高的横向导电能力的情况下，能够减薄n型扩展层的外延厚度，降低外延时间，提高材料生长的质量，减少外延成本。

主权项：1.一种LED结构，包括外延叠层和位于外延叠层两侧的金属电极层，其特征在于：所述外延叠层包括沿生长方向堆叠的n型扩展层、n型限制层、有源层、p型限制层和p型导电层；所述n型扩展层是n型AlInP层或n型AlGaInP层；所述n型扩展层中掺杂高浓度Te；所述金属电极层包括直接设置在所述n型扩展层表面的n面金属电极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏宜兴德融科技有限公司 LED结构、其制造方法及相应的LED芯片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD