申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-12-05

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111293129B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20181206 KR 10-2018-0156276"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2020.06.16#公开

摘要：一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括第一表面和第二表面并且还包括阱区和第一浮置扩散区，阱区和第一浮置扩散区中的每个与第一表面相邻。图像传感器包括第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极，第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极被隔离而不彼此直接接触并且每个从半导体基板的第一表面且在半导体基板的厚度方向上延伸穿过阱区的至少一部分。图像传感器包括在第一垂直传输栅极和第一浮置扩散区之间并在半导体基板的第一表面上的第一存储栅极。图像传感器包括在第一存储栅极和第一浮置扩散区之间并在半导体基板的第一表面上的第一分接头传输栅极。

主权项：1.一种图像传感器，包括：半导体基板，包括第一表面和第二表面，所述半导体基板还包括阱区和第一浮置扩散区，所述阱区和所述第一浮置扩散区中的每个与所述第一表面相邻；第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极，被隔离而不彼此直接接触，所述第一垂直传输栅极和所述第二垂直传输栅极的每个从所述半导体基板的所述第一表面且在所述半导体基板的厚度方向上延伸穿过所述阱区的至少一部分，所述厚度方向垂直于所述第一表面和所述第二表面中的至少一个；解调区域，在与所述半导体基板的所述第一表面平行的方向上在所述第一垂直传输栅极和所述第二垂直传输栅极之间；第一存储栅极，在所述第一垂直传输栅极和所述第一浮置扩散区之间，所述第一存储栅极在所述半导体基板的所述第一表面上；以及第一分接头传输栅极，在所述第一存储栅极与所述第一浮置扩散区之间，所述第一分接头传输栅极在所述半导体基板的所述第一表面上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 用于距离测量的图像传感器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD