申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2019-05-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN110544626B

主分类号：H01L21/283

分类号：H01L21/283;H01L21/321;H01L23/485;H01L29/16

优先权：["20180528 DE 102018112721.9"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.04.09#实质审查的生效;2019.12.06#公开

摘要：本发明涉及碳化硅衬底上的电接触。一种用于在碳化硅衬底（105）上制造具有第一金属层（111）和至少一个第二金属层（121‑123）的电接触（106）的方法包括：执行化学清洁工艺（300），以去除碳残留物（302）的至少一部分，用于清洁第一金属层（111）。第一金属层（111）和或第二金属层（121‑123）可以通过溅射沉积来产生。

主权项：1.一种用于在碳化硅衬底105上制造电接触106的方法，所述电接触106具有第一金属层111和至少一个第二金属层121-123，其中所述方法包括：-在所述碳化硅衬底105上沉积所述第一金属层111，-使所述第一金属层111退火，由此形成碳残留物302，-执行第一化学清洁工艺300，以去除所述碳残留物302的至少一部分，用于清洁所述第一金属层111，其中在所述第一化学清洁工艺300期间在所述第一金属层111上形成氧化物残留物，-执行不同于所述第一化学清洁工艺300的第二化学清洁工艺，以去除所述氧化物残留物的至少一部分，用于清洁所述第一金属层111，以及-在所述第一化学清洁工艺300和所述第二化学清洁工艺之后，在已清洁的第一金属层111的表面上沉积至少一个第二金属层121-123。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 碳化硅衬底上的电接触

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