申请/专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888204A

主分类号：C30B29/60

分类号：C30B29/60;C30B29/38;C30B33/10;C30B23/02;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明提供一种多孔结构及单晶衬底的制备方法，包括：在衬底上形成本征氮化物层、本征含铟氮化物层；在本征含铟氮化物层上生长氮化物叠层，包括交替的n‑氮化物层和u‑氮化物层；将上述所得结构浸入蚀刻溶液中进行电化学腐蚀，在氮化物叠层中形成第一孔洞；进行加热退火，使本征含铟氮化物层的铟组分分解并析出，以在本征含铟氮化物层中形成第二孔洞。本发明形成的多孔结构可以有效降低氮化物叠层和本征含铟氮化物层中的应力，避免氮化物叠层和本征含铟氮化物层翘曲或破裂的问题。本发明在氮化物叠层和本征含铟氮化物层均形成有孔洞，可以进一步提高GaN单晶层的应力释放，大大降低GaN单晶层的应力，以获得厚度更大应力更低的GaN单晶层。

主权项：1.一种多孔结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成本征氮化物层；在所述征氮化物层上形成本征含铟氮化物层；在所述本征含铟氮化物层上生长氮化物叠层，所述氮化物叠层包括交替的n-氮化物层和u-氮化物层，且所述氮化物叠层的最上层为u-氮化物层；将上述所得结构浸入蚀刻溶液中进行电化学腐蚀，在所述氮化物叠层中形成第一孔洞；将上述所得结构进行加热退火，使所述本征含铟氮化物层分解并析出铟，以在所述本征含铟氮化物层中形成第二孔洞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞市中镓半导体科技有限公司 多孔结构及单晶衬底的制备方法

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