申请/专利权人：梅姆斯塔有限公司

申请日：2019-08-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112703585B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G01N21/88

优先权：["20180907 GB 1814619.1"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.04.23#公开

摘要：公开了一种检测结构样品中的缺陷的方法，该结构样品包括薄膜层和牺牲层。该方法包括使薄膜层暴露于气相蚀刻剂，获得薄膜层的图像并分析该图像。气相蚀刻剂通过穿过缺陷并在牺牲层内蚀刻出空腔来增强薄膜层中存在的任何缺陷。该空腔使薄膜层凹陷，从而在缺陷周围形成应力区域。最初无法检测到的缺陷在暴露于气相蚀刻剂后可以变为可检测的。气相蚀刻剂具有高度可移动性的优点，使得它可以进入液相蚀刻剂可能无法进入的缺陷。此外，与液相蚀刻剂不同，气相蚀刻剂可以用于非破坏性地检测样品。

主权项：1.一种检测结构样品中的一个或多个缺陷的方法，所述结构样品包括薄膜层和牺牲层，所述方法包括：使所述薄膜层暴露于气相蚀刻剂，以在所述薄膜层中的缺陷下方的所述牺牲层中形成空腔；获得所述薄膜层的图像；以及分析所述图像；其中，选择气相蚀刻剂以蚀刻所述牺牲层但不蚀刻所述薄膜层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 梅姆斯塔有限公司 检测薄膜层中缺陷的方法

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