申请/专利权人：山东汉旗科技有限公司

申请日：2021-07-02

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113489477B

主分类号：H03K17/687

分类号：H03K17/687

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.08#公开

摘要：本发明属于电子电路领域，具体涉及到一种新型的PMOS管衬底切换电路控制方法及系统,新型的PMOS管衬底切换电路,其包括VDD端和vpp端，所述的vdd端连接上二极管d1的正极、上电压比较控制电路的一个电压比较端，所述的上二极管d1的负极同时连接一个vpp端、一个vdd端、下二极管d2的负极、上电压比较控制电路的一个电压比较端、下电压比较控制电路的一个电压比较端，所述的上电压比较控制电路的输出端连接衬底nsub，一个vpp端连接下二极管d2的正极、下电压比较控制电路的一个电压比较端，所述的下电压比较控制电路的输出端连接衬底nsub，所述的上电压比较控制电路和下电压比较控制电路电路均用于比较两个电压比较端的电压大小，且导通电压大的一端到输出端。

主权项：1.新型的PMOS管衬底切换电路，其特征在于，包括vdd端和vpp端，所述的vdd端连接上二极管d1的正极、上电压比较控制电路的一个电压比较端，所述的上二极管d1的负极同时连接一个vpp端、一个vdd端、下二极管d2的负极、上电压比较控制电路的一个电压比较端、下电压比较控制电路的一个电压比较端，所述的上电压比较控制电路的输出端连接衬底nsub，一个vpp端连接下二极管d2的正极、下电压比较控制电路的一个电压比较端，所述的下电压比较控制电路的输出端连接衬底nsub，所述的上电压比较控制电路和下电压比较控制电路配置相同，所述的上电压比较控制电路和下电压比较控制电路均用于比较两个电压比较端的电压大小，并且导通电压大的一端到输出端；所述的上电压比较控制电路或者下电压比较控制电路配置包括一个电阻和一个PMOS管；所述的上电压比较控制电路或者下电压比较控制电路与vdd端、vpp端的连接具体是：所述的vdd端连接上二极管d1的正极，vdd端串联上电阻r1后连接上PMOS管m1的栅极，所述的上二极管d1的负极同时连接一个vpp端、一个vdd端、下二极管d2的负极、上PMOS管m1的源极、下PMOS管m2的源极，所述的上PMOS管m1的漏极连接衬底nsub，一个vpp端连接下二极管d2的正极，该vpp端串联下电阻r2后连接下PMOS管m2的栅极，所述的下PMOS管m2的漏极连接衬底nsub。

全文数据：

权利要求：

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