申请/专利权人:日东电工株式会社
申请日:2022-08-04
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN116348293B
主分类号:B32B3/30
分类号:B32B3/30;B32B7/025;B32B27/00
优先权:["20210806 JP 2021-130171"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.02#授权;2023.07.14#实质审查的生效;2023.06.27#公开
摘要:层叠体1具备基底层3、以及与基底层3的厚度方向的一个面31邻接的结晶质的透明导电层4。透明导电层4的厚度方向的一个面41具备高度为3nm以上的第一隆起42。基底层3的一个面31任选具备高度为3nm以上的第二隆起32。第二隆起32在厚度方向上投影时不与第一隆起42重合。透明导电层4含有原子序数比氩大的稀有气体。
主权项:1.一种层叠体,其具备基底层、以及与所述基底层的厚度方向的一个面邻接的结晶性的透明导电层,所述透明导电层的厚度方向的一个面具备高度为3nm以上的第一隆起,与所述透明导电层的厚度方向的一个面为同一方向的所述基底层的厚度方向的一个面任选具备高度为3nm以上的第二隆起,所述第二隆起在厚度方向上投影时不与所述第一隆起重合,所述透明导电层含有原子序数比氩大的稀有气体。
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