申请/专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司

申请日：2019-11-12

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112864246B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.06.15#实质审查的生效;2021.05.28#公开

摘要：本发明公开了一种超结器件，超结器件各原胞形成于对应的超结单元上，包括：沟道区和平面栅，栅漏电容为由平面栅对顶部漂移区和底部的第一导电类型柱进行纵向耗尽形成的电容。超结单元中，第二导电类型柱会对第一导电类型柱进行横向耗尽，在保持超结单元的电荷平衡或使第二导电类型掺杂总量多以保证击穿电压满足要求的条件下，超结单元的顶部区域中的第二导电类型柱的宽度设置为小于第一导电类型柱的宽度，以增加平面栅对第一导电类型柱的纵向耗尽并从而增加栅漏电容。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能增加器件的栅漏电容，能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲。

主权项：1.一种超结器件，其特征在于：包括由多个交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成的超结结构；每一所述第一导电类型柱和其邻近的所述第二导电类型柱组成一个超结单元；超结器件各原胞形成于对应的所述超结单元上，所述原胞包括：第二导电类型的沟道区，所述沟道区位于对应的所述第二导电类型柱的顶部区域中并延伸到邻近的所述第一导电类型柱，在所述第一导电类型柱的顶部区域两侧各有一个所述沟道区，所述第一导电类型柱的顶部区域两侧的所述沟道区之间具有间隔区域并令该间隔区域为顶部漂移区；栅极结构为平面栅，所述平面栅覆盖在所述顶部漂移区并延伸到所述顶部漂移区两侧的所述沟道区上，被所述平面栅覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；栅漏电容为由所述平面栅对所述顶部漂移区和所述顶部漂移区底部的所述第一导电类型柱进行纵向耗尽形成的电容；所述超结单元中，所述第二导电类型柱会对所述第一导电类型柱进行横向耗尽，在保持所述超结单元的电荷平衡或使所述第二导电类型柱的掺杂总量多于所述第一导电类型柱的掺杂总量以保证所述超结器件的击穿电压满足要求的条件下，所述超结单元的顶部区域中的所述第二导电类型柱的宽度设置为小于所述第一导电类型柱的宽度，以在所述超结单元的顶部区域中减少所述第二导电类型柱对所述第一导电类型柱的横向耗尽，从而增加所述平面栅对所述第一导电类型柱的纵向耗尽并从而增加所述栅漏电容。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南通尚阳通集成电路有限公司 超结器件及其制造方法

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