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【发明授权】聚酰亚胺介电薄膜及其制备方法和应用_南方科技大学_202010175773.9 

申请/专利权人:南方科技大学

申请日:2020-03-13

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN111234529B

主分类号:C08L79/08

分类号:C08L79/08;C08K3/22;C08G73/10;C08J5/18

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2020.06.30#实质审查的生效;2020.06.05#公开

摘要:本发明公开了一种聚酰亚胺介电薄膜及其制备方法和应用,该制备方法包括:在惰性气体保护下,将聚酰亚胺介电薄膜的原料与极性有机溶剂混合,搅拌反应,得前驱体混合溶液,脱泡后流延成膜,进行热处理;聚酰亚胺介电薄膜的原料包括芳香族二胺类化合物、芳香族四甲酸二酐类化合物和纳米粉体,纳米粉体的能带隙大于4eV;或者,聚酰亚胺介电薄膜的原料包括芳香族二胺类化合物二和芳香族四甲酸二酐类化合物二,芳香族二胺类化合物二和芳香族四甲酸二酐类化合物二中含有羰基、醚键、氰基、胺基、砜基、亚甲基中的至少一种。本发明聚酰亚胺介电薄膜的制备方法工艺简单,成本低,所制得聚酰亚胺介电薄膜具有高介电常数、高储能密度和高温高电场稳定性。

主权项:1.一种介电电容器用聚酰亚胺介电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、先将纳米粉体分散于极性有机溶剂中,得混合溶液;而后在惰性气体的保护下,向所述混合溶液中依次加入芳香族二胺类化合物一和芳香族四甲酸二酐类化合物一,在10~40℃下搅拌反应,制得前驱体混合溶液;所述纳米粉体的能带隙大于4eV,所述纳米粉体选自氧化铪;所述芳香族二胺类化合物一选自2,2’-二甲氧基-4,4’-二氨基苯酰替苯胺,所述芳香族四甲酸二酐类化合物一选自3,3’-4,4’-二苯砜四羧酸二酐;所述芳香族二胺类化合物一和所述芳香族四甲酸二酐类化合物一的摩尔比为0.91:1;S2、将所述前驱体混合溶液进行真空脱泡,而后流延成膜,再进行热处理,得到聚酰亚胺介电薄膜;所述聚酰亚胺介电薄膜中纳米粉体与聚酰亚胺的质量比为0.015:1。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南方科技大学 聚酰亚胺介电薄膜及其制备方法和应用

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