申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2019-06-13

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111511503B

主分类号：B24B49/10

分类号：B24B49/10;B24B7/22

优先权：["20180620 US 62/687,712"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.06.29#实质审查的生效;2020.08.07#公开

摘要：一种化学机械研磨的方法包含以下步骤：使得具有设置在半导体晶片上的导电层的基板与研磨垫接触；产生基板与研磨垫之间的相对运动；当导电层被研磨时，利用原位电磁感应监控系统来监控基板以产生取决于导电层的厚度的一序列信号值；基于一序列信号值来确定导电层的一序列厚度值；及至少部分地补偿半导体晶片的导电性对该信号值的贡献。

主权项：1.一种化学机械研磨的方法，包含以下步骤：使得具有设置在半导体晶片上的导电层的基板与研磨垫接触；产生所述基板与所述研磨垫之间的相对运动；接收表示所述半导体晶片的导电性的基础信号值；当所述导电层被研磨时，利用原位电磁感应监控系统来监控所述基板以产生取决于所述导电层的厚度和所述半导体晶片的所述导电性的一序列信号值；以及基于所述一序列信号值来确定所述导电层的一序列厚度值，其中确定所述一序列厚度值的步骤包含以下步骤：使用所述基础信号值来至少部分地补偿所述半导体晶片的导电性对所述信号值的贡献。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 针对原位电磁感应监控的基板掺杂补偿

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