申请/专利权人:国家纳米科学中心
申请日:2020-10-14
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN112086345B
主分类号:H01L21/027
分类号:H01L21/027;H01L21/28;G03F1/36;G03F7/20;B82Y40/00
优先权:["20191122 CN 2019111573480"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.02#授权;2021.01.01#实质审查的生效;2020.12.15#公开
摘要:本发明提供一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法和用途。所述电极的制备方法包括以下步骤:1将电子束抗蚀剂旋涂于衬底后烘烤,形成电子束抗蚀剂层;设计对顶结构的交叠型图形作为掩模图形;2按步骤1设计好的掩模图形利用电子束对旋涂电子束抗蚀剂层的衬底进行曝光,并经过显影、定影、蒸镀电极,得到尺寸在10nm以下的电极间隙。所述制备方法通过欠曝光来抵消邻近效应的影响,实现尺寸在10nm以下的电极间隙的加工和制备。
主权项:1.一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法,其特征在于,所述电极的制备方法包括以下步骤:1将电子束抗蚀剂旋涂于衬底后烘烤,形成电子束抗蚀剂层;设计对顶结构的交叠型图形作为掩模图形;2按步骤1设计好的掩模图形利用电子束对旋涂电子束抗蚀剂层的衬底进行曝光,并经过显影、定影、蒸镀电极,得到尺寸在10nm以下的电极间隙。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 国家纳米科学中心 一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法及其产品和用途
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