申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-02-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113064328B

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.07.20#实质审查的生效;2021.07.02#公开

摘要：本发明公开了一种光刻工艺禁止周期确定方法，通过对目标版图中特征图形具有的每个关键尺寸，均采用不同光源条件进行仿真，以获得每种光源条件下的仿真结果，由于在不同光源条件下，每个关键尺寸的特征图形的仿真结果不同，因此不同光源条件的仿真结果可以对工艺工程师调参数起到理论指导作用，并且根据每种光源条件的仿真结果确定出的禁止周期具有理论依据，更加精确，从而本申请确定出的禁止周期既简单又可以缩短产品工艺的周期，对提升版图的精准度有很大的帮助。

主权项：1.一种光刻工艺禁止周期确定方法，其特征在于，所述方法包括：统计目标版图中所有特征图形具有的关键尺寸，所述关键尺寸包含多个；针对每个关键尺寸，根据该关键尺寸制作仿真测试图，利用多种光源参数对所述仿真测试图进行光刻仿真，以获得每种光源参数对应的归一化图像对数斜率与周期的对应关系；基于每种光源参数对应的归一化图像对数斜率与周期的对应关系，确定该关键尺寸的特征图形的禁止周期，包括：针对每种光源参数，获取该光源参数对应的阈值，基于该光源参数对应的归一化图像对数斜率与周期的对应关系，确定归一化图像对数斜率低于所述阈值对应的周期范围；基于每种光源参数对应的周期范围，确定该关键尺寸的特征图形的禁止周期；其中，所述光源参数包括光源类型和光源半径，所述基于每种光源参数对应的周期范围，确定该关键尺寸的特征图形的禁止周期，包括：针对每个光源类型，获取属于该光源类型在每个光源半径下的周期范围，并从在每个光源半径下的周期范围中选择范围最小的周期范围作为该关键尺寸的特征图形使用该光源类型的禁止周期；所述禁止周期对应的光源半径为最佳光源半径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种光刻工艺禁止周期确定方法及装置

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