申请/专利权人：昆山聚达电子有限公司

申请日：2022-05-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN115331902B

主分类号：H01C7/02

分类号：H01C7/02;H01C17/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明公开了一种PTC热敏电阻元件加工工艺，包括以下步骤：S1，原料准备：分别准备59％HDPE高密度聚乙烯、10％CB碳黑材料和10％半导体导热陶瓷粉末；S2，高分子混炼：将S1中原料按体积百分比加入双螺杆混练机中进行预混、混炼，得到导电聚合物；S3，薄片成型，混炼得到导电聚合物通过热压机压成薄片，将该薄片切成约20公分×20公分的正方形；S4，基材成型，通过热压机将两镀镍铜箔贴合至S3中的薄片两面，形成基材；S5，PCT芯片成型，将基材经过照光50kgy，通过冲床冲压出PTC芯片，组装成PTC热敏电阻元件。通过上述方式，本发明导入半导体陶瓷材料于热敏电阻，以达高温时整体组件电阻稳定。

主权项：1.一种PTC热敏电阻元件加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1，原料准备：分别准备59％HDPE高密度聚乙烯、10％CB碳黑材料和10％半导体导热陶瓷粉末，半导体导热陶瓷粉末采用Al2O3二氧化铝、TiO2二氧化钛或AlN氮化铝；S2，高分子混炼：将S1中原料按体积百分比加入双螺杆混练机中进行预混、混炼，得到导电聚合物，温度为200℃，预混时间3分钟，混炼时间15分钟；S3，薄片成型，混炼得到导电聚合物通过热压机压成薄片，将该薄片切成约20公分×20公分的正方形；S4，基材成型，通过热压机将两镀镍铜箔贴合至S3中的薄片两面，形成基材；S5，PCT芯片成型，将基材经过照光50kgy，通过冲床冲压出PTC芯片，组装成组件，即过电流保护的PTC热敏电阻元件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆山聚达电子有限公司 一种PTC热敏电阻元件加工工艺

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