申请/专利权人：TDK株式会社

申请日：2020-09-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112599660B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00

优先权：["20191001 JP 2019-181361"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.02#公开

摘要：本发明提供能够使磁畴壁的动作稳定的磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件具备：配线层，其包括铁磁性体；非磁性层，其位于所述配线层的第一面上；第一导电层，其连接于所述配线层的所述第一面，并且包括铁磁性体；及第二导电层，其与所述第一导电层分隔，并且连接于所述配线层，所述第一导电层的连接面的第一部分与所述配线层直接连接，所述连接面的除了所述第一部分之外的第二部分经由所述非磁性层连接于所述配线层。

主权项：1.一种磁畴壁移动元件，其特征在于，具备：配线层，其包括铁磁性体；非磁性层，其与所述配线层的第一面接触；第一导电层，其连接于所述配线层的所述第一面并且包括铁磁性体；以及第二导电层，其与所述第一导电层分隔地连接于所述配线层，所述配线层层叠在所述第一导电层的连接面的第一部分上，从而使所述第一导电层的连接面的第一部分与所述配线层直接连接，所述配线层经由所述非磁性层层叠在所述连接面的除了所述第一部分之外的第二部分上，从而使所述连接面的除了所述第一部分之外的第二部分经由所述非磁性层而连接于所述配线层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TDK株式会社 磁畴壁移动元件和磁记录阵列

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