申请/专利权人：苏州新维度微纳科技有限公司

申请日：2022-01-14

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114326340B

主分类号：G03F9/00

分类号：G03F9/00;G03F7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.04.14#专利申请权的转移;2022.06.14#专利申请权的转移;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种高精度的纳米压印对准方法及系统。纳米压印对准系统包括压印模板、压印胶层、光源和光强测量装置；压印模板包括第一基准光栅；压印胶层设有第一对准光栅；光源用于提供光束，该光束经过第一基准光栅和第一对准光栅后能够形成干涉图案；光强测量装置用于根据干涉图案获得干涉图案的光强分布图。本发明提供的纳米压印对准系统，包括设于压印模板上的第一基准光栅及由该第一基准光栅压印形成于压印胶层上的第一对准光栅，第一基准光栅和第一对准光栅具有相同的光栅结构，在执行对准操作时，第一基准光栅和第一对准光栅相互错位，基于相位差的计算可直接通过对应组干涉光光强来实现高精度对准。

主权项：1.一种纳米压印对准系统，其特征在于，包括：压印模板，包括基底及设于所述基底上的纳米压印结构和第一基准光栅，所述第一基准光栅具有多个相互平行且等间距设置的凸条部，任意相邻两个所述凸条部之间形成有凹槽部，所述凹槽部与所述凸条部的形状大小一致；压印胶层，所述压印胶层上形成有与所述第一基准光栅相对设置的第一对准光栅，所述第一对准光栅由所述第一基准光栅在所述压印胶层上压印形成；光源，用于提供垂直射向所述第一基准光栅和所述第一对准光栅的光束，所述光束经过所述第一基准光栅和所述第一对准光栅后能够形成干涉图案；光强测量装置，用于根据所述干涉图案获得所述干涉图案的光强分布图；其中，根据干涉次数的不同，对构成干涉图案的所有干涉光线p,q进行分组，将干涉光线中p+q的值相等的干涉光线分为一组，干涉光线p,q是指经过第一对准光栅第p阶干涉，再经过第一基准光栅第q阶干涉的光线；当光强分布图中第p+q组干涉光和第-p+q组干涉光光强相等时，压印模板和压印胶层完成对准。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州新维度微纳科技有限公司 纳米压印对准方法及系统

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