申请/专利权人：湖南天羿领航科技有限公司

申请日：2022-02-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114578094B

主分类号：G01P15/125

分类号：G01P15/125;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.06.21#实质审查的生效;2022.06.03#公开

摘要：本发明公开了一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法，本发明的高过载扭摆式硅微加速度计包括SOI电极结构层和硅敏感结构，SOI电极结构层上设有三个静电电容区域及对应的引线盘，硅敏感结构包括质量块及其中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构，键合块通过支撑梁与质量块相连，键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置。本发明能极大程度减小晶圆级键合应力，提高硅微加速度计抗过载能力，保障了产品的使用寿命和长期可靠性，能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度，改善电容间隙一致性，加工精度更高。

主权项：1.一种高过载扭摆式硅微加速度计，其特征在于，包括SOI电极结构层（1）和硅敏感结构（2），所述SOI电极结构层（1）上设有三个静电电容区域（11）及其对应的引线盘（12），所述硅敏感结构（2）包括质量块（21）以及质量块（21）的中部刻蚀形成的键合块（22）和支撑梁（23），所述质量块（21）两侧质量不同且与三个静电电容区域（11）相对间隙布置形成平面电容结构，所述键合块（22）通过支撑梁（23）与质量块（21）相连，所述键合块（22）与SOI电极结构层（1）之间通过键合锚点键合连接使得键合块（22）与SOI电极结构层（1）两者的键合平面悬空布置，所述质量块（21）的中部设有两个采用刻蚀工艺形成的、贯穿的开口槽（24），两个开口槽（24）的开口互相相对布置使得开口槽（24）的内部区域和开口相对的中间连接部分形成键合块（22），且两个开口槽（24）两侧的开口边缘之间分别形成一根支撑梁（23），且两侧的支撑梁（23）对称布置。

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权利要求：

百度查询： 湖南天羿领航科技有限公司 一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法

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