申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117542879B

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体领域。晶体管包括：衬底、体区、漂移区、源极、漏极、栅极和场板，场板形成于衬底内，场板形成区域包括碗状凹槽和倒梯形凹槽，场板包括内壁氧化层和氧化填充层，内壁氧化层形成于碗状凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，以及倒梯形凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，内壁氧化层为平滑的层状结构，在碗状凹槽内形成碗状填充区域和倒梯形填充区域，氧化填充层填充于碗状填充区域和倒梯形填充区域内，内壁氧化层的致密性大于氧化填充层的致密性。通过本发明提供的横向双扩散场效应晶体管，能够在提升击穿电压的同时降低晶体管的导通电阻，优化器件的性能，提高器件可靠性寿命。

主权项：1.一种横向双扩散场效应晶体管，包括：衬底、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：场板，形成于所述漂移区内，场板形成区域包括：依次通过干法刻蚀和湿法刻蚀工艺形成的碗状凹槽，以及形成于碗状凹槽底部的倒梯形凹槽；所述场板包括内壁氧化层和氧化填充层；所述内壁氧化层为通过刻蚀倒梯形凹槽前和刻蚀倒梯形凹槽后的两次热氧化工艺形成的平滑的层状结构，形成于碗状凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底以及倒梯形凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，由此在场板形成区域内形成碗状填充区域和倒梯形填充区域；所述氧化填充层填充于所述碗状填充区域和所述倒梯形填充区域内；所述内壁氧化层的致密性大于所述氧化填充层的致密性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD